近日,外資機構分析,英飛凌原有基板來源還包括龍頭WolfSpeed、安森美(On-Semi)、日本羅姆(Rohm)等,值得注意的是,中系基板供應已佔其需求量約2成,未來幾季供應量可望倍增。
因良率難掌控,「擁SiC基板、擁天下」成顯學。業者指出,英飛凌是IDM廠中極少數未跨入SiC長晶自製者。年初在基板多重布局,被視為是新SiC晶圓廠將登場的起手勢,以續朝2030年在SiC市場達30%市佔率目標邁進。
市場一度觀望,英飛凌是否如車用一線供應商(Tier 1)博世(Bosch)般加碼美國投資SiC、讓該供應鏈如虎添翼?考量美中關係,這讓中國供應鏈暗自緊張,如今確定於馬來西亞建廠、使其鬆口氣。
另外,依東協貿易輸入中國免課稅、及地理位置來看,該廠或以支援中國、亞洲市場成份更多,但也暗示英飛凌在中國建廠的機率降低了;對比的是SiC主對手意法攜手三安,在中國重慶建8吋SiC晶圓廠,三安還將為其量身打造8吋基板新廠。
其二,鎖定客戶群不同。英飛凌新廠奠基於各客戶的預付款與LTA,其包括客戶來自車用、再生能源、儲能、工業用等。
車用的客戶有福特(Ford)、上汽、奇瑞;另有太陽能逆變器(PV Inverter)大廠SolarEdge,3家中系太陽能暨儲能系統廠;還有全球能源管理及自動化大廠施耐德電機(Schneider Electric)預定矽基(Si)及SiC功率產品。
實際上,意法與三安的重慶新廠,雖隻字不提最大客戶Tesla,但市場認為,該案就是為Tesla上海廠而來、以助其符合政府在地自製率要求,再者,也為中國電動車供應鏈快速成長的內需市場預先打造。
其三,兩種技術纏鬥愈演愈烈。英飛凌強調,8吋新廠將利用業界最佳的SiC溝槽式(Trench)技術,有效區隔市場,其為該技術的代表廠;另一技術即為意法主導的平面型(Planar)。
業者補充,前者的技術結構較複雜、良率掌控不易、但節約SiC基板用量;後者較簡易、穩定,但基板用量相對大,兩技術仍在纏鬥中、難分高下。
只是,前波決戰點為Tesla Model 3率先採用平面型,這讓意法坐擁SiC龍頭寶座,也帶進其它車廠跟進使用,而安森美也被傳出已切入Tesla供應鏈。
如今英飛凌加大溝槽式產能、又兵分多路加速滲透各領域,頗具圍剿以車用為主的平面式市場,實際上,諸多業者也積極朝溝槽式邁進,例如安森美正投入開發溝槽式SiC金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),計劃2024年推出樣本。
責任編輯:陳奭璁
文章取自於:DIGITIMES